По мнению Globalfoundries, одного из полупроводниковых гигантов, лишь четыре игрока нынешнего рынка полупроводниковых компонентов смогут освоить литографию с топоразмерами меньше 20 нанометров.

МОСКВА, 30 апр — Digit.ru. Лишь четыре основных игрока существующего полупроводникового рынка смогут перейти на качественно новую продукцию 10-нанометрового класса, считает Субрамани Кенджери (Subramani Kengeri), вице-президент крупного производителя полупроводниковой продукции Globalfoundries, сообщает Digitimes.com.

Сейчас компания Globalfoundries осваивает 20-нм техпроцесс на своем заводе в Нью-Йорке, где предполагает выпускать 60 тысяч 300-мм пластин в месяц. Переход на новый техпроцесс оказался исключительно затратным: только в текущем году на эти цели выделено 4,5 миллиарда долларов, а всего с 2011 года общие затраты составили 10 миллиардов.

Подобные инвестиции в разработку технологий и производство доступны лишь немногим предприятиям по выпуску полупроводниковой продукции. Каждый новый виток совершенствования техпроцесса требует все больших ресурсов. По мере уменьшения размеров транзисторов число производителей полупроводниковой продукции, способных разработать и освоить соответствующие техпроцессы, сокращается. Помимо научно-технического потенциала, продвижение вперед требует колоссальных инвестиций, что далеко не всем по силам. Это и позволило Кенджери предположить, что на этапе, соответствующем нормам 1Х нм (то есть менее 20 нм или так называемого 10-нанометрового класса) конкурировать между собой будут всего четыре компании.

Компания Globalfoundries ставит перед собой цель в течение двух лет стать крупнейшим мировым контрактным производителем полупроводниковой продукции. Ее следующим шагом станет переход на 14-метровый техпроцесс с созданием так называемых объемных транзисторов, массовый выпуск продукции на базе которых Globalfoundries планирует начать во второй половине 2014 года.

Правда, обогнать текущего лидера контрактного производства — TSMC — будет непросто. По сообщению ресурса EE Times, тайваньская TSMC в этом году на капитальные затраты выделила 9 миллиардов долларов и надеется начать пробный выпуск продукции по 16-нанометровой технологии FinFET до конца года.

Читать также исследование: "Samsung стала крупнейшим потребителем полупроводников в 2012 году">>